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题名: 以化學氣相沉積法合成一維氧化銦鋅奈米線結構及其特性分析
作者: 陳志榮
贡献者: 修平技術學院電子工程系
关键词: 化學氣相沉積法
氧化銦鋅
奈米線
日期: 2011-03
上传时间: 2013-08-15T01:50:10Z
摘要: 本論文主要利用化學氣相沉積法經由氣液固（VLS）機制在低製程溫度下成長一維氧化銦鋅（IZO）奈米線於ITO基板上，並使用掃描電子顯微鏡觀察一維氧化銦鋅奈米線樣本的表面形態、結構、長度、線徑與分佈情形，並利用 X 光單晶繞射儀鑑定其結構的結晶性，再利用X光能量散譜儀（EDS）做一維氧化銦鋅奈米線的成份分析。本實驗在成長一維氧化銦鋅奈米線的最佳實驗結果（參數為銦（In）顆粒的製程溫度為700 ℃、鋅（Zn）粉末的製程溫度為550 ℃、成長壓力為1 Torr、氬氣流量為50 sccm、氧氣流量為10 sccm），由FE-SEM的截面分析發現，本實驗氧化銦鋅奈米線為中空結構，奈米線線徑約為100 nm到150 nm，長約為5 μm，電阻值約20 - 150 Ω。
關聯: 修平學報 22, 153-162
显示于类别:[電子工程系] 期刊論文

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