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题名: 偽靜態隨機存取記憶體(PSRAM)晶胞 PSEUDO STATIC RANDOM ACCRSS MEMORY(PSRAM) CELL
作者: 蕭明椿
贡献者: 修平技術學院
日期: 2006-05-01
上传时间: 2008-11-06T08:22:00Z
摘要: 本發明所提出之偽靜態隨機存取記憶體(PSRAM)晶胞係由一電晶體NE、一電容器C以及一電荷補償電路(1)所組成，其中，該電晶體係為一增強型NMOS電晶體，其閘極係耦合到一字元線WL，源極係耦合到一儲存節點S，而汲極則耦合到一位元線BL，該電容器係連接在儲存節點S與接地之間，而該電荷補償電路係用以接受字元線WL之電壓與儲存節點S之電壓，且僅於該字元線WL之電壓為低電壓同時該儲存節點S之電壓為高電壓時，才提供一補償電流給儲存節點S，該電荷補償電路(1)係由一開關電晶體PE以及一電荷補償電晶體ND所組成。由於本發明所提出之偽靜態隨機存取記憶體(PSRAM)晶胞並不需要更新循環(refresh cycle)，且僅使用了三個電晶體以及一個電容器，同時各電晶體之間係為無比率設計(ratioless design)，因此不但能降低消耗功率，並且兼具高集積化、高速化以及時序控制簡單等多重功效。
显示于类别:[電機工程系(含碩士班)] 專利

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