Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/1553
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 4343/7642
造访人次 : 3972947      在线人数 : 939
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1553

题名: Cu/Ga/In材料之熱處理行為研究
作者: 游家和;邱俊凱;吳偉誠;曾善文;林文楷
贡献者: 修平技術學院電子工程系
关键词: 薄膜太陽能電池CIGS
日期: 2009/01/16
上传时间: 2009-03-16T06:50:24Z
出版者: 修平技術學院
摘要: 目前在太陽電池材料選擇,雖以矽為產業界最為熟悉的材料,但因國際間最上游矽原料有供不應求,使多晶矽價格一路攀升,太陽能電池的發展必須尋找替代材料或試圖減少矽的使用量,其中以薄膜型的CIS/CIGS電池的發展受到相當程度的矚目。因為CIGS薄膜電池具有效率高、抗輻射、穩定性好(無衰退)等優點,自從出現在市面以來一直被受光電界人士關注,成為第二代薄膜太陽電池研究的焦點,極有可能取代矽電池成為下一代太陽能電池的主流。本研究則利用廠商提供之「SLG/Mo/Cu/Ga/In」或「SLG/Mo/Cu/Ga/In/Se」結構薄膜試片進行不同溫度與退火時間的熱處理,以掌握此四元合金元素之相變化與顯微結構變化行為。本研究發現經快速熱退火處理未添加Se元素之熱處理主要生成Cu11In9及Cu9In4相,而包含Se元素的試片經高溫熱處理後則可順利化合成CIGS太陽能電池所需的黃銅礦(Chalcopyrite)相。
显示于类别:[電子工程系] 學生專題

文件中的档案:

没有与此文件相关的档案.

在HUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 


DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈