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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/204
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| 題名: | 動態隨機存取記憶體單元中之冠狀電容的設計 |
| 作者: | 蔣忠誠 |
| 貢獻者: | 修平技術學院電機工程系 |
| 關鍵詞: | 冠狀電容
犧牲層
接觸開口
選擇性蝕刻
非等向性蝕刻
介電層 |
| 日期: | 2001-03
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| 上傳時間: | 2008-08-19T02:15:32Z
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| 摘要: | 本文提出一種用於動態隨機存取記憶體單元中之冠狀電容的製造方法，讓方法係包含下列步驟:首先製作一電晶體，前於該電晶體上形成一絕緣層;按著選擇性蝕刻以形成一接觸開口，並在絕緣層以及接觸開口上沉積一第一導電層;再接著形成一犧牲層，並選擇性蝕刻以僅在電晶體汲極上方處留下部分犧牲層以及部分第一導電層;然後全面沉積一第二導電層，且施行非等向性蝕刻以僅在該部分犧牲層兩側壁上留下部分第二導電層;其次移除該部分犧牲層，該部分第二導電層以及部分第一導電層係共同形成冠狀電容之下電極;最後依序形成一介電層以及冠狀電容之上電極。 |
| 關聯: | 修平學報 2, 221-232 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 期刊論文
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| 02-14動態隨機存取記憶體單元中之冠狀電容的設計.pdf | 561Kb | Adobe PDF | 1512 | 檢視/開啟 |
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