Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/1387
English
|
正體中文
|
简体中文
|
全文笔数/总笔数 : 4348/7649
造访人次 : 4319759 在线人数 : 21
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜寻范围
全部HUSTIR
工程學院
電子工程系
--期刊論文
进阶搜寻
登入
‧
上传
‧
说明
‧
关于HUSTIR
‧
管理
Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository
>
工程學院
>
電子工程系
>
期刊論文
>
Item 310993100/1387
数据加载中.....
jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1387
题名:
Evaluation of single- and multilayered amorphous tantalum nitride thin films as diffusion barriers in copper metallization
作者:
G. S. Chen
;
S. T. Chen
;
L. C. Yang
;
P. Y. Lee
日期:
2000
上传时间:
2009-02-03T07:01:33Z
關聯:
J. Vac. Sci. Technol. A, 18, pp. 720?723. (SCI)
显示于类别:
[電子工程系] 期刊論文
文件中的档案:
没有与此文件相关的档案.
在HUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright © 2006-2025
-
回馈