資料載入中.....
|
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1553
|
| 題名: | Cu/Ga/In材料之熱處理行為研究 |
| 作者: | 游家和;邱俊凱;吳偉誠;曾善文;林文楷 |
| 貢獻者: | 修平技術學院電子工程系 |
| 關鍵詞: | 薄膜太陽能電池CIGS |
| 日期: | 2009/01/16
|
| 上傳時間: | 2009-03-16T06:50:24Z
|
| 出版者: | 修平技術學院 |
| 摘要: | 目前在太陽電池材料選擇，雖以矽為產業界最為熟悉的材料，但因國際間最上游矽原料有供不應求，使多晶矽價格一路攀升，太陽能電池的發展必須尋找替代材料或試圖減少矽的使用量，其中以薄膜型的CIS/CIGS電池的發展受到相當程度的矚目。因為CIGS薄膜電池具有效率高、抗輻射、穩定性好(無衰退)等優點，自從出現在市面以來一直被受光電界人士關注，成為第二代薄膜太陽電池研究的焦點，極有可能取代矽電池成為下一代太陽能電池的主流。本研究則利用廠商提供之「SLG/Mo/Cu/Ga/In」或「SLG/Mo/Cu/Ga/In/Se」結構薄膜試片進行不同溫度與退火時間的熱處理，以掌握此四元合金元素之相變化與顯微結構變化行為。本研究發現經快速熱退火處理未添加Se元素之熱處理主要生成Cu11In9及Cu9In4相，而包含Se元素的試片經高溫熱處理後則可順利化合成CIGS太陽能電池所需的黃銅礦(Chalcopyrite)相。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
|
在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
|
