Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/1716

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Title:	自我對位與自我鈍化雙合金化全程電化學析鍍技術在下世代銅金屬化製程研究
Authors:	陳松德
Contributors:	修平技術學院電子工程系
Keywords:	自我對位;自我鈍化;金屬化;晶種;擴散阻礙層;無電鍍;超薄;合金化;銅;鈷;錳
Date:	2008-07-01
Issue Date:	2009-10-28T03:43:02Z
Abstract:	雖然無電鍍阻礙層與「純銅」導線材料系統與製造流程製程已被運用在90 nm 積體電路元件之孔槽填充，然而，其晶種生長技術、銅導線材料配方與製造流程仍須朝向自我對位與自我鈍化的方向發展，以突破孔槽尺寸的限制因素，方能合乎次世代65 奈米先進銅製程的需求。因此，申請人擬將已在傳統銅製程被證實具有高度應用性的合金化技術，應用在吾人所開創的自我對位全程電化學銅鑲嵌製程技術。第一年擬結合新穎電漿表面改質與全程電化學技術，沉積尺度僅有2 nm 且緻密分佈的無電鍍催化晶種，以生長合乎下世代孔槽填充所需之超薄（?10 nm）Co 基阻礙層，同時探討摻雜具高度偏析性與鈍化性的Co（Mn）合金擴散阻礙層並探討其強化效應。第二年擬整合Co（Mn）元素超薄阻障層與電鍍銅合金化製程，開創具有自我對位與自我鈍化能力的全程電化學創新無電鍍Cu（Mn）合金析鍍技術，以滿足?45 nm 孔槽對免除擴散阻礙層（Barrier free）之需求。此種兼具自我對位沉積與自我鈍化能力的無電鍍Cu（Mn）合金技術的開發不但能提昇銅導線系統的可靠度，並可大幅簡化銅鑲嵌製程步驟，對未來世代IC 元件之金屬化製程發展能提供具有參考價值之技術來源。;計畫編號:NSC96-2221-E164-005;研究期間:200708~200807
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