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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/1944
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| 題名: | 利用Sol-Gel方法製作AZO透明導電膜及其特性 |
| 作者: | 江士昕;傅德宏;王佳佑;張清雲;楊凱程 |
| 貢獻者: | 電子工程系 |
| 日期: | 2010-07-06
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| 上傳時間: | 2011-01-25T06:30:38Z
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| 摘要: | 以溶膠凝膠法製備摻鋁氧化鋅(AZO)透明導電膜與含單晶矽粉AZO透明導電膜。前者主要為將摻鋁氧化鋅膠體溶液透過旋轉塗佈經氮氣及氫氰混和氣體(6% H2/Ar)熱處理後製得AZO透明導電膜，探討不同製程變因，如鋁摻雜量、溶液濃度、搭配不同退火氣氛、薄膜厚度，對AZO透明導電膜的影響。發現適度的鋁含量約(0.5~1.5 at%)，可以改善其電阻係數，而適度的溶液濃度(0.5~0.75M)亦對薄膜電性
有幫助。再配合 H2/Ar(6%)熱處理後，可以讓 AZO 薄膜電阻係數降低至約2×10-3Ω-cm。透過UV-VIS光譜儀分析，發現製成之 AZO薄膜在可見光皆具有80 %以上良好的穿透率。後者將 AZO 膠體溶液混摻不同比例與不同電阻係數的單晶矽粉，透過熱處理後，探討製得含單晶矽粉 AZO透明導電薄膜在光學、電學性質上的影響。發現較低的混摻比例(0.05g/5ml、0.1g/5ml)有較高的穿透率(80 %、70 %，較高之混摻比例會使薄膜透光性不理想)。混
摻電阻率越低的單晶矽粉(摻雜濃度越高的單晶矽粉)，其製成之含單晶矽 AZO 薄膜有較好的電性。在低混摻比例(0.05g/5ml)與混摻低電阻係數(1.59×10-2Ω-cm)的單晶矽粉狀態下，能夠製成在可見光區之穿透率約達80%，電阻係數為1.55×10-2 Ω-cm之含單晶矽AZO薄膜。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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