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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/2525
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| 題名: | 具共享控制電路之單埠靜態隨機存取記憶體 |
| 作者: | 鐘國升
温勝雄 |
| 貢獻者: | 電機工程系 |
| 日期: | 2010-12-18
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| 上傳時間: | 2011-10-20T13:01:54Z
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| 摘要: | 本專題提出一種「具共享控制電路之單埠靜態隨機存取記憶體」，主要包括記憶體陣列以及複數個控制電路，記憶體陣列係由複數個記憶體區塊所組成，每一記憶體區塊設置一個控制電路，且每一記憶體區塊更包括複數個記憶體晶胞，每一記憶體晶胞則由一NMOS 存取電晶體M3、二NMOS驅動電晶體M1 和M2、二PMOS 負載電晶體P1 和P2 及第一和第二讀取用電晶體M4 和M5 所組成。每一控制單元係連接至對應記憶體區塊中之每一記憶晶胞的二NMOS 驅動電晶體M1 和M2 的源極端，以便因應不同操作模式而控制源極端的源極電壓，於寫入模式時，將選定晶胞中較接近寫入用位元線WBL 的驅動電晶體M1 的源極設定成較接地電壓為高的預定電壓且將選定晶胞中另一驅動電晶體M2 的源極電壓設定成接地電壓，以便防止寫入邏輯1 困難的問題，於待機模式時，將所有記憶體晶胞中的驅動電晶體的源極電壓設定成較接地電壓為高的預定電壓，以便降低漏電流；而於讀取模式時則將所有記憶體晶胞中的驅動電晶體的源極電壓設定成接地電壓，以便維持讀取穩定度。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 學生專題
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