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題名: 摻鋰氧化鋅奈米柱的成長與特性及光感測器的應用
作者: 王秀娟
林嘉鴻
李杰岷
貢獻者: 電子工程系
關鍵詞: 氧化鋅奈米柱
水熱法
氧缺陷
螢光光譜
拉曼光譜
p型半導體
光檢測器
ZnO nanorod
hydrothermal method
oxygen vacancy
photoluminescence spectrum
Raman shift spectrum;p-type semiconductor
photodetector.
日期: 2011-12-28
上傳時間: 2012-07-10T02:36:52Z
摘要: 氧化鋅為目前很有潛力的光電半導體材料之一，材料擁有非常多優點，具有易蝕刻、無毒性、價廉等優點，在熱穩定性上及化學穩定性上也有相當不錯的表現。由於目前的ZnO多屬於n-type的半導體氧化物，如果能成功研發p-type的ZnO與n-type的ZnO搭配，將可開發出ZnO的全新光電半導體應用領域，所以就以摻雜鋰的P型氧化鋅做為主要探討內容，並應用於光感測元件。
本研究是利用溶膠凝膠法以及磁控射頻濺鍍（Rf sputter）在矽基板上沉積氧化鋅（ZnO）薄膜做為晶種層，再成長摻雜鋰氧化鋅奈米柱（ZnO:Li），固定其成長時間與溫度分別為1.5小時及90°C，最後並透過熱蒸鍍機鍍銀來做為氧化鋅奈米柱及矽基板的接觸電極，最後再測量其光電特性。
藉由X光繞射（X-Ray）及掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察晶體結構及分析表面型態，探討氧化鋅薄膜於溶膠凝膠法及濺鍍法不同參數下沉積氧化鋅晶種層，對成長摻雜鋰氧化鋅奈米柱的影響，並探討其材料特性。在光學性質方面，亦藉由光致螢光光譜儀（PL）觀察奈米柱品質及由霍爾量測（Hall）觀察其電特性，將量測所得的結果加以分析討論。
顯示於類別:[電子工程系] 學生專題

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