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題名: 導電帶與價電帶井深比例對405-nm氮化銦鎵量子井雷射特性之影響
作者: 劉柏挺
貢獻者: 修平技術學院機械工程系
關鍵詞: 氮化銦鎵
導電帶與價電帶井深比例
量子井雷射
臨界電流
日期: 2004-09
上傳時間: 2008-08-22T09:35:13Z
摘要: 本文以數值計算來探討導電帶與價電帶井深比例對405-nm氮化銦鎵量子井雷射特性的影響。特別是導電帶與價電帶井深比例為7/3的InxGa1-xN/InyGa1-yN異質結構的光學特性。比較顯示現今大家所認同的井深比例為7/3比2002年以前一般所認同的井深比例為3/7有較佳的雷射效能及在量子井有較均勻的載子濃度分布。本文亦由模擬的結果推導出405 nm雷射結構在一些特定銦含量的披覆層時，其量子井厚度與量子井銦含量的關係式，以作為設計的參考。
關聯: 修平學報 9, 53-68
顯示於類別:[機械工程系(含精密機械與製造科技碩士班)] 期刊論文

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09-04導電帶與價電帶井深比例對405-nm氮化銦鎵量子井雷射特性之影響.pdf287KbAdobe PDF688檢視/開啟

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