Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/3327

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题名:	濕式化學沉積之硫化鋅生長研究
作者:	謝明橋王舜洽
贡献者:	電子工程系
关键词:	化學浴沉積 ZnS薄膜退火處理
日期:	2012-01-17
上传时间:	2013-07-23T06:44:04Z
摘要:	本實驗以濕式化學沐浴沉積法(CBD)生長半導體硫化鋅薄膜，反應沉積於玻璃基板上。以醋酸鋅、硫脲作為鋅離子來源及硫離子來源，使用氨水、聯氨作為其反應錯合劑，分別以反應時間、反應濃度、反應溫度、pH值的製程參數進行分析探討。另外利用快速熱退火進行熱處理，退火溫度(450℃)以時間(5min、20min與30min)條件下，觀察對硫化鋅薄膜光學特性之影響。
显示于类别:	[Department of Electronic Engineering] Monograph

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