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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/3547
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| 題名: | 以化學氣相沉積法合成一維氧化銦鋅奈米線結構及其特性分析 |
| 作者: | 陳志榮 |
| 貢獻者: | 修平技術學院電子工程系 |
| 關鍵詞: | 化學氣相沉積法
氧化銦鋅
奈米線 |
| 日期: | 2011-03
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| 上傳時間: | 2013-08-15T01:50:10Z
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| 摘要: | 本論文主要利用化學氣相沉積法經由氣液固（VLS）機制在低製程溫度下成長一維氧化銦鋅（IZO）奈米線於ITO基板上，並使用掃描電子顯微鏡觀察一維氧化銦鋅奈米線樣本的表面形態、結構、長度、線徑與分佈情形，並利用 X 光單晶繞射儀鑑定其結構的結晶性，再利用X光能量散譜儀（EDS）做一維氧化銦鋅奈米線的成份分析。本實驗在成長一維氧化銦鋅奈米線的最佳實驗結果（參數為銦（In）顆粒的製程溫度為700 ℃、鋅（Zn）粉末的製程溫度為550 ℃、成長壓力為1 Torr、氬氣流量為50 sccm、氧氣流量為10 sccm），由FE-SEM的截面分析發現，本實驗氧化銦鋅奈米線為中空結構，奈米線線徑約為100 nm到150 nm，長約為5 μm，電阻值約20 - 150 Ω。 |
| 關聯: | 修平學報 22, 153-162 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 期刊論文
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