Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/3670
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 4334/7631
造访人次 : 3203169      在线人数 : 308
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/3670

题名: 具低漏電流及預寫控制之雙埠靜態隨機存取記憶體 DUAL PORT SRAM WITH LOWERING LEAKAGE CURRENT AND PREWRITING CONTROL
作者: 蕭明椿
贡献者: 修平技術學院電機工程系
日期: 2009-03-11
上传时间: 2013-08-27T06:39:22Z
摘要: 本創作提出一種具低漏電流及預寫控制之雙埠靜態隨機存取記憶體,其係包括複數個雙埠SRAM晶胞(1)、一第一偏壓電路(2)、以及一第二偏壓電路(3),該等雙埠SRAM晶胞(1)係連接在高電壓節點(VH)與低電壓節點(VL)之間。當該雙埠SRAM操作於主動模式(active mode)時,該第一偏壓電路(2)將高電源供應電壓(HVDD)供應至該高電壓節點(VH),且該第二偏壓電路(3)將接地電壓供應至該低電壓節點(VL);而當該雙埠SRAM操作於待機模式(standby mode)時,該第一偏壓電路(2)將低電源供應電壓(LVDD)供應至該高電壓節點(VH),且該第二偏壓電路(3)將較接地電壓為高之一電壓供應至該低電壓節點(VL)。
显示于类别:[電機工程系(含碩士班)] 專利

文件中的档案:

档案 大小格式浏览次数
ga-M352747.pdf291KbAdobe PDF337检视/开启

在HUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈