Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/3721
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 4334/7631
造访人次 : 3185079      在线人数 : 67
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/3721

题名: 寫入操作時降低電源電壓之雙埠靜態隨機存取記憶體 DUAL PORT SRAM HAVING A LOWER POWER VOLTAGE IN WRITING OPERATION
作者: 蕭明椿
贡献者: 修平科技大學
日期: 2010-06-21
上传时间: 2013-08-28T01:43:04Z
摘要: 本創作提出一種寫入操作時降低電源電壓之雙埠靜態隨機存取記憶體(Dual port SRAM)，其係包括一記憶體陣列，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞與每一行記憶體晶胞各包括有複數個記憶體晶胞(1)；一第一偏壓電路(2)；一第二偏壓電路(3)；以及複數個寫入電壓控制電路(4)，每一列記憶體晶胞設置一個寫入電壓控制電路。該等記憶體晶胞(1)係連接在一高電壓節點(VH)與一低電壓節點(VL)之間，該等寫入電壓控制電路(4)於對應之一寫入用字元線(WWL)為代表選定寫入狀態之邏輯高位準時，將一低電源供應電壓(LVDD)供應至該高電壓節點(VH)，俾藉由寫入操作時降低電源電壓以有效避免寫入邏輯1相當困難之問題；而於待機模式(standby mode)時，則藉由將該低電源供應電壓(LVDD)供應至該高電壓節點(VH)以及將較接地電壓為高之一電壓供應至該低電壓節點(VL)，以有效降低靜態隨機存取記憶體之功率消耗。結果，本創作所提出之寫入操作時降低電源電壓之雙埠靜態隨機存取記憶體，不但可有效避免習知具單一位元線之雙埠SRAM所存在寫入邏輯1相當困難之問題，並且也能兼具待機模式時降低漏電流之功效。
显示于类别:[電機工程系(含碩士班)] 專利

文件中的档案:

档案 大小格式浏览次数
ga-M383181.pdf182KbAdobe PDF202检视/开启

在HUSTIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈