English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 4334/7631
造訪人次 : 3194881      線上人數 : 442
RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 進階搜尋

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/3824

題名: 無電鍍銅錳合金薄膜抑制高溫誘發團聚行為研究(Investigation of Electroless Cu-Mn Alloy to Suppress Thermal-induced Copper Agglomeration Behaviors)
作者: 陳松德
陳錦山
呂育霖
貢獻者: 修平科技大學電子工程系
關鍵詞: 真空電漿表面改質
無電鍍
銅錳合金薄
高溫誘發團聚
日期: 2013-09
上傳時間: 2013-11-06T03:14:43Z
摘要: 本研究以真空電漿/化學溶液雙重表面改質，採用全程濕式之無電鍍(Electroless Plating)製程，在SiO2介電層表面生長具自我強化的銅錳(Cu-Mn)合金薄膜。在無電鍍銅鍍液添加的微量 Mn (0.4 at.%)元素，以共沉積方式生長的此種銅錳合金薄膜用於探討錳異質摻雜物對抑制高溫銅薄膜球狀化之影響。經高溫快速退火處理的無電鍍Cu-Mn (0.4 at.%)合金薄膜除因溫度誘發的晶粒成長外，薄膜仍能維持其連續性與完整性，但無電鍍 Cu薄膜卻會有嚴重的團聚島狀化現象。同步輻射XAS 能譜分析證實，經熱處理之無電鍍 Cu-Mn(0.4 at.%)合金薄膜之 Mn 元素會因高溫偏析及氧化，並以MnO 型態存在於Cu-Mn薄膜與SiO2 界面處。這使得Cu-Mn(0.4 at.%)合金薄膜具有較純 Cu薄膜佳的抑制高溫誘發薄膜團聚行為。
關聯: 修平學報
顯示於類別:[電子工程系] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案 大小格式瀏覽次數
10-journal_of_HsiouPing_27_revise_→_2013.pdf1668KbAdobe PDF3241檢視/開啟

在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

 

DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋