資料載入中.....
|
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/4999
|
| 題名: | 摻雜鈰元素對氧化鋅奈米柱陣列微結構與光電特性的影響 |
| 作者: | 黃耀賢;林佳賢;蔡文智;余振昌;顏智鴻 |
| 貢獻者: | 修平科技大學電子工程系 |
| 關鍵詞: | 太陽能能源科技 |
| 日期: | 2015-12
|
| 上傳時間: | 2016-05-14T07:58:27Z
|
| 摘要: | "氧化鋅是一種寬直接能隙(direct energy gap)的二六族金屬氧化物半導
體，其能隙約為3.3eV，可見光波長範圍內的光波大部分不吸收，因此可見
光具有高透明度，有效做為透明導電膜潛力。藉由摻雜鈰(Ce)氧化鋅奈米柱
來改變導電度成為N型半導體。近幾年，太陽能能源科技蓬勃發展，氧化鋅
被製成太陽能電池的電極材料。以氧化鋅為基礎做成的半導體奈米結構愈
來愈多，例如量子點、奈米袋、奈米棒、奈米管及奈米線等皆受到廣泛研
究。本論文將以水熱法來成長摻雜Ce的氧化鋅奈米柱，並固定時間兩小時
及溫度90°C，藉此最後探討其光電特性的影響" |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
|
在HUSTIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
|
