Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/547

English | 正體中文 | 简体中文 | Items with full text/Total items : 4342/7641
Visitors : 3592081 Online Users : 144

RC Version 3.2 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.

Scope Adv. Search

Login ‧ Upload ‧ Help ‧ About ‧ Administer

HUSTIR > College of Engineering > Department of Electronic Engineering > Patents > Item 310993100/547

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/547

Title:	CMOS電位轉換介面電路
Authors:	余建政
Contributors:	修平技術學院
Date:	2008-10-11
Issue Date:	2008-11-06T08:01:47Z
Abstract:	本創作提出一種CMOS電位轉換介面電路,用以將一第一信號轉換為一第二信號,其係由一反相器(INV)、一充電電晶體(1)、一充電電晶體(2)、一輸出反相器(3)、一拉升電路(4)以及一拉降電路(5)所組成,該反相器(INV)係用來提供一個與輸入電壓信號(V(IN))反相的信號,其偏壓係第二高電位電壓(VDDL)及地(GND),該充電電晶體(1)係用來將第一節點(X)的電位充電至接近第一高電位電壓(VDDH),而該充電電晶體(2)係用來將第二節點(Y)的電位充電至接近第一高電位電壓(VDDH),該拉升電路(4)係用來在輸入信號的電位發生變化時,將第一節點(X)或第二節點(Y)的電位拉升至第一高電位電壓(VDDH);而該拉降電路(5)係用來在輸入信號的電位發生變化時,將第一節點(X)或第二節點(Y)的電位拉降至地(GND);一第一電源電壓係用以提供該CMOS電位轉換介面電路所需之第一高電位電壓(VDDH),一第二電源電壓係用以提供該CMOS電位轉換介面電路所需之第二高電位電壓(VDDL),該第二高電位電壓(VDDL)之位準係小於該第一高電位電壓(VDDH)之位準,該第一信號為介於0伏特及1.8伏特間的矩形波,而該第二信號則為介於0伏特及3.3伏特間的對應波形。本創作所提出之CMOS電位轉換介面電路,不但仍能快速且精確地將第一信號轉換為一第二信號,並且能有效地減少競爭(contention)現象,進而降低功率的損耗。
Appears in Collections:	[Department of Electronic Engineering] Patents

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
M342695-1.pdf		177Kb	Adobe PDF	2357	View/Open
M342695-2.pdf		49Kb	Adobe PDF	2220	View/Open

Loading...