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| 題名: | 唯讀記憶體感測電路及感測方法 |
| 作者: | 蕭明椿 |
| 貢獻者: | 修平技術學院 |
| 日期: | 2003-08-21
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| 上傳時間: | 2008-11-06T08:22:36Z
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| 摘要: | 本發明提出一種新穎之唯讀記憶體感測電路及感測方法，其不但能一方面追求記憶體之高速操作，並且亦能滿足低功率消耗之需求。該感測方法係在記憶體所儲存之資料為邏輯高電位時，將輸出端子OUT拉升至第一電壓準位的過程分成二個階段，第一階段係將輸出端子OUT拉升至第一電壓扣減Vt之電壓準位(其中Vt代表電晶體之臨限電壓)，第二階段係將輸出端子OUT由第一電壓扣減Vt之電壓準位再拉升至第一電壓之電壓準位；並且，為了有效縮短第一階段所需之時間，於是在該第一階段中設計有第一與第二電流供給路徑之雙路結構，並且該第一電流供給路徑係較該第二電流供給路徑提早供給；而在該第二階段中則僅保留第二電流供給路徑。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 專利
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