Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/5993
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题名: 5T 靜態隨機存取記憶體
作者: 鄞泓智
阮鈺欽
贡献者: 電機工程系
关键词: 靜態隨機存取記憶體
二階段讀取
日期: 2016-06-01
上传时间: 2017-07-20T03:54:55Z
摘要: 本專題提出一種具有高效能5T靜態隨機存取記憶體，其主要包括一記憶體陣列、複數個控制電路、複數個預充電電路、一待機啟動電路以及複數個字元線電壓位準轉換電路，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，可有效防止寫入邏輯1困難之問題，於讀取模式時，可於提高讀取速度的同時，亦避免無謂的功率耗損，於待機模式時，可有效降低漏電流，而於保持模式時則可維持原有的電氣特性。
此外，藉由該複數個字元線電壓位準轉換電路的設計，以增加該讀取模式下之導通電阻，並因而有效降低讀取時之半選定晶胞干擾。
显示于类别:[電機工程系(含碩士班)] 學生專題

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