Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/606

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Title:	具預寫控制之雙埠靜態隨機存取記憶晶胞 DUAL PORT SRAM CELL WITH PREWRITE CONTROL
Authors:	蕭明椿
Contributors:	修平技術學院
Date:	2006-01-01
Issue Date:	2008-11-06T08:24:07Z
Abstract:	本創作提出一種具預寫控制之雙埠靜態隨機存取記憶晶胞，其係包括一第一反相器(由第一PMOS電晶體P1與第一NMOS電晶體M1所組成)、一第二反相器(由第二PMOS電晶體P2與第二NMOS電晶體M2所組成)、一寫入用選擇電晶體(MWS)、一讀取用選擇電晶體(MRS)、一反相電晶體(MINV)、一預寫電晶體(MPRE)、一寫入用字元線(WWL)、一讀取用字元線(RWL)、一寫入用位元線(WBL)、一讀取用位元線(RBL)以及一預寫控制線(WPRE)，其中，該第一反相器和該第二反相器係呈交互耦合連接，亦即該第一反相器之輸出(即節點A)係連接該第二反相器之輸入，而該第二反相器之輸出(即節點B)則連接該第一反相器之輸入，並且該第一反相器之輸出(節點A)係用於儲存SRAM晶胞之資料，而該第二反相器之輸出(節點B)則用於儲存SRAM晶胞之反相資料，同時於該節點 B與接地之間設置有預寫電晶體(MPRE)，該預寫電晶體(MPRE)之閘極係連接至預寫控制線(WPRE)，而該用於儲存SRAM晶胞反相資料之節點B則經由該反相電晶體(MINV)及該讀取用選擇電晶體(MRS)連接至讀取用位元線(RBL)，其中該反相電晶體(MINV)之一端與該讀取用選擇電晶體(MRS)相連接，另一端連接至儲存節點(A)，而其閘極則連接至反相儲存節點(B)，俾藉此種新穎架構，以降低非選擇(nonselected)雙埠 SRAM晶胞之漏電流(leaking current)；再者，亦可將該讀取用字元線(RWL)於非操作期間之電壓位準設定成低於接地電壓(例如-0.5伏特)，以便進一步降低非選擇(nonselected)雙埠SRAM晶胞之漏電流，亦即，該讀取用字元線(RWL)於讀取操作期間係設定為電源電壓，而於讀取操作以外之期間則設定為低於接地電壓之電壓位準(例如-0.5伏特)，至於該寫入用字元線(WWL)於寫入操作期間係設定為電源電壓，而於寫入操作以外之期間則設定為接地電壓。結果，本創作不但能有效解決習知單端SRAM晶胞無法達成將先前寫入的邏輯0蓋寫成邏輯1之問題，並且也能實現單位元線同時讀寫的功能，同時亦能藉由大幅降低非選擇(nonselected)雙埠SRAM晶胞之漏電流(leaking current)，而達成有效降低讀取干擾及有效提高讀取可靠度之功效。
Appears in Collections:	[Department of Electrical Engineering & Graduate Institute] Patents

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