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題名: 雙埠靜態隨機存取記憶體
作者: 古倫毓
張碩安
貢獻者: 電機工程系
關鍵詞: 記憶體
高讀取速度
日期: 2018-06-25
上傳時間: 2018-10-21T07:32:48Z
摘要: 本論文提出多種適用於5T和7T靜態隨機存取記憶體的電路設計，其主要包括一記憶體陣列、複數個控制電路、複數個預充電電路、一待機啟動電路、複數個字元線電壓位準轉換電路以及複數個高電壓位準控制電路，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞設置一個控制電路，5T SRAM每一記憶體晶胞係包括一第一反相器（由一PMOS電晶體P11與一NMOS電晶體N11所組成）、一第二反相器（由一PMOS電晶體P12與一NMOS電晶體N12所組成）及一存取電晶體（由NMOS電晶體N13所組成），7T SRAM每一記憶體晶胞係包括一第一反相器（由一PMOS電晶體P11與一NMOS電晶體N11所組成）、一第二反相器（由一PMOS電晶體P12與一NMOS電晶體N12所組成）、一存取電晶體（由NMOS電晶體N13所組成）、以及讀取用電晶體N14和N15。
顯示於類別:[電機工程系(含碩士班)] 學生專題

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