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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/7216
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| 題名: | 氧化鋅奈米柱陣列摻雜鋰對成長時間及光電特性的影響 |
| 作者: | 陳奎羽
林宗毅
林志和
張皓愷 |
| 貢獻者: | 電子工程系 |
| 關鍵詞: | 氧化鋅
鋰
奈米柱
成長時間
光電特性 |
| 日期: | 2019-06
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| 上傳時間: | 2020-06-22
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| 摘要: | 氧化鋅是現今很多人研究使用的光電半導體材料之一，據有直接寬能隙，有易蝕刻、成本低、資源豐富且不具毒性等優點、在熱穩定性及化學穩定性上也有很好的表現。
本專題製作的內容是探討氧化鋅奈米柱陣列摻雜鋰對成長時間及光電特性的影響。本研究剛開始利用溶膠凝膠法在矽基板上旋鍍摻鋰氧化鋅薄膜，固定旋鍍2層厚度，以700oC做退火處理，最後再將不同的奈米柱生長時間為15分鐘、30分鐘、45分鐘、60分鐘，使用電子顯微鏡觀察表面型態及X光繞射觀察晶體結構，分析不同的退火溫度對薄膜微結構的影響，在光學特性方面使用螢光光譜檢測薄膜的光學特性以及使用光譜儀檢測薄膜的透光率以推算出能隙值。研究結果經由X光繞射儀分析，繞射峰訊號強度會隨退火溫度上升而增加。由掃描式電子顯微鏡觀察薄膜表面型態，退火溫度越高樣品表面的結晶性會越好，厚度也會比退火溫度低的樣品薄，這是因為退火使薄膜緻密化的原因。使用螢光光譜檢測樣品在紫外光區有明顯的繞射峰，且訊號隨著退火溫度增加而變強，顯示其晶格結構也變好，這個結果和X光繞射及電子顯微鏡的結果接近。最後，再使用電流-電壓特性量測系統量測紫外光感測的亮暗電流比，結果發現亮暗電流比隨退火溫度增加而??藉此探討作為紫外光光檢測器的可能性。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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