Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/1394
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题名: Growth mechanism of sputter deposited Ta and Ta-N thin films induced by an underlying titanium layer and varying nitrogen flow rates
作者: G. S. Chen;S. T. Chen;S. C. Huang;H. Y. Lee
日期: 2001
上传时间: 2009-02-03T07:01:53Z
關聯: Applied Surface Science, 169-170, pp. 353?357. (SCI)
显示于类别:[電子工程系] 期刊論文

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