Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/1407
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题名: Phase formation behavior and diffusion barrier property of reactively sputtered tantalum-based thin films used in semiconductor metallization
作者: G. S. Chen;P. Y. Lee;S. T.
日期: 1999
上传时间: 2009-02-03T07:02:33Z
關聯: Thin Solid Films, 353 (1-2), pp.264?273. (SCI)
显示于类别:[電子工程系] 期刊論文

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