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| 題名: | 具單一位元線之單埠 |
| 作者: | 廖柏勛;劉政怡;黎岳達 |
| 貢獻者: | 電機工程系 |
| 日期: | 2009-12-09
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| 上傳時間: | 2011-01-24T05:51:49Z
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| 摘要: | 本文提出一種寫入操作時降低電源電壓之單埠靜態隨機存取記憶體（Single port SRAM） ，其係包括一記憶體陣列，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，每一列記憶體晶胞與每一行記憶體晶胞各包括有複數個記憶體晶胞（1） ；一第一偏壓電路（2） ；一第二偏壓電路（3） ；複數個寫入電壓控制電路（5） ，每一列記憶體晶胞設置一個寫入電壓控制電路（5） 。該等記憶體晶胞（1）係連接在一高電壓節點（VH）與一低電壓節點（VL）之間，該等寫入電壓控制電路（5）於對應之一控制信號（CTL）為代表選定寫入狀態之邏輯高位準時，將一低電源供應電壓（LVDD）供應至該高電壓節點（VH），俾藉由寫入操作時降低電源電壓以有
效避免寫入邏輯 1 相當困難之問題 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 學生專題
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