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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/2691
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Title: | 利用溶膠-凝膠法製備鐵酸鉍鐵電薄膜摻雜鐠之鐵電特性研究 |
Authors: | 林泓彥 羅鳴謙 陳冠堯 賴信呈 |
Contributors: | 電子工程系 |
Keywords: | 溶膠-凝膠法 鐵酸鉍 鐵電薄膜 漏電流 |
Date: | 2011-12-28
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Issue Date: | 2012-07-10T02:07:48Z
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Abstract: | 本研究以溶膠凝膠法製備鐵酸鉍(BiFeO3)鐵電薄膜摻雜鐠(Pr)元素,做為非
揮發性鐵電記憶體之應用;以旋轉塗佈機將薄膜沉積於Pt/Ti/SiO2/Si基板上,分
別在450 oC溫度下,利用X光繞射儀(XRD)、電子式掃描顯微鏡(SEM)、及阻抗
分析儀(HP4284)來探討鐠(Pr)濃度摻雜(x值分別為0、0.02、0.04、0.06、0.08)
對薄膜成長的影響。且藉由鐠(Pr)的濃度改變對晶體結構、晶粒大小、漏電流特
性、介電性及鐵電性之影響。
根據實驗顯示,以Pr來說,在x=0.08時鐵電特性方面,有最佳的鐵電特性
殘留極化值:2Pr=24.56μC/cm2、矯頑電場: 2Ec=92.2kV/cm 、 漏電流在x=0.08
時漏電流密度3.26E-06J(A/cm2),由此可知Pr摻雜的多寡可有效降低漏電流與
殘留極化值的變化。 |
Appears in Collections: | [Department of Electronic Engineering] Monograph
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