摘要: | 本研究以溶膠凝膠法製備鐵酸鉍(BiFeO3)鐵電薄膜摻雜鐠(Pr)元素,做為非
揮發性鐵電記憶體之應用;以旋轉塗佈機將薄膜沉積於Pt/Ti/SiO2/Si基板上,分
別在450 oC溫度下,利用X光繞射儀(XRD)、電子式掃描顯微鏡(SEM)、及阻抗
分析儀(HP4284)來探討鐠(Pr)濃度摻雜(x值分別為0、0.02、0.04、0.06、0.08)
對薄膜成長的影響。且藉由鐠(Pr)的濃度改變對晶體結構、晶粒大小、漏電流特
性、介電性及鐵電性之影響。
根據實驗顯示,以Pr來說,在x=0.08時鐵電特性方面,有最佳的鐵電特性
殘留極化值:2Pr=24.56μC/cm2、矯頑電場: 2Ec=92.2kV/cm 、 漏電流在x=0.08
時漏電流密度3.26E-06J(A/cm2),由此可知Pr摻雜的多寡可有效降低漏電流與
殘留極化值的變化。 |