Hsiuping University of Science and Technology Institutional Repository : Item 310993100/3667
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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/3667

Title: 具NMOS樹之骨牌式電路 DOMINO CIRCUIT WITH NMOS TREE
Authors: 蕭明椿
Contributors: 修平技術學院電機工程系
Date: 2009-02-01
Issue Date: 2013-08-27T06:30:48Z
Abstract: 本創作提出一種新穎架構之具NMOS樹之骨牌式電路,其係由一控制電路(3)、以及複數個具NMOS樹之骨牌式基本閘所組成,其中,每一具NMOS樹之骨牌式基本閘係包括有一NMOS樹(1)、一第一PMOS電晶體(MP1)、一第一NMOS電晶體(MN1)、一保持電路(2)以及一時脈(clk),該保持電路(2)更包括有一反相器(INV)以及一第二PMOS電晶體(MP2),而該控制電路(3)包括有一第三PMOS電晶體(MP3)以及一第四PMOS電晶體(MP4)。該具NMOS樹之骨牌式電路於求値相位(Evaluation phase)時(此時該時脈為邏輯高電位),由於呈關閉狀態之該第一PMOS電晶體(MP1)之基底係連接至電位較該第一電源電壓(Vdd)為高之該第二電源電壓(Vdd2),根據電晶體之本體效應(Body effect),該第一PMOS電晶體(MP1)之臨界電壓的絕對値上升,因此流經該第一PMOS電晶體(MP1)之次臨界漏電流減少;再者,由於該第一PMOS電晶體(MP1)閘極所接受之該時脈(clk)的邏輯高電位(Logic high)為該第二電源電壓(Vdd2)之電位,因此可進一步降低次臨界漏電流,結果,本創作所提出之具NMOS樹之骨牌式電路可有效地減少功率消耗。
Appears in Collections:[Department of Electrical Engineering & Graduate Institute] Patents

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