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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/562
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| Title: | 互補式金氧半(CMOS)電壓峰值檢知器 CMOS PEAK VOLTAGE DETECTOR |
| Authors: | 蕭明椿 |
| Contributors: | 修平技術學院 |
| Date: | 2006-05-01
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| Issue Date: | 2008-11-06T08:21:57Z
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| Abstract: | 本發明提出一種新穎架構之電壓峰值檢知器，其係由一差動放大器1、一充電電晶體2、一電容器C、一輸出級3以及一電流鏡電路4所組成，其中，該差動放大器1係以非對稱式結構來設計，亦即僅使用單邊之負載電晶體，且該負載電晶體與該充電電晶體2共同構成一電流鏡。該差動放大器1係做為比較器使用，該充電電晶體2係做為充電器使用，用以提供電容器C所需之充電電流，而該輸出級3則用以調整該電容器C上之電壓信號V(C)，以便精確地輸出該輸入電壓信號之峰值電壓。本發明所提出之電壓峰值檢知器僅使用了2個PMOS電晶體、6個NMOS電晶體、1個電阻器以及1個電容器，且於輸出級中並未使用到50MΩ以上之電阻器，因此不但電路架構新穎、簡單、使用的電晶體數量少，並且因不需使用運算放大器及未使用到50MΩ以上之電阻器，因而也具有較高之集積度。此外，本發明所提出之電壓峰值檢知器，不但能精確地檢測出輸入信號之峰值電壓，並且設置有輸出級以有效防止因外部電路之擷取動作而遭致破壞所保持之輸入峰值電壓，同時亦能有效消除差動放大器之超量電壓效應。 |
| Appears in Collections: | [Department of Electrical Engineering & Graduate Institute] Patents
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