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http://ir.hust.edu.tw/dspace/handle/310993100/5993
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| 題名: | 5T 靜態隨機存取記憶體 |
| 作者: | 鄞泓智
阮鈺欽 |
| 貢獻者: | 電機工程系 |
| 關鍵詞: | 靜態隨機存取記憶體
二階段讀取 |
| 日期: | 2016-06-01
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| 上傳時間: | 2017-07-20T03:54:55Z
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| 摘要: | 本專題提出一種具有高效能5T靜態隨機存取記憶體，其主要包括一記憶體陣列、複數個控制電路、複數個預充電電路、一待機啟動電路以及複數個字元線電壓位準轉換電路，該記憶體陣列係由複數列記憶體晶胞與複數行記憶體晶胞所組成，可有效防止寫入邏輯1困難之問題，於讀取模式時，可於提高讀取速度的同時，亦避免無謂的功率耗損，於待機模式時，可有效降低漏電流，而於保持模式時則可維持原有的電氣特性。
此外，藉由該複數個字元線電壓位準轉換電路的設計，以增加該讀取模式下之導通電阻，並因而有效降低讀取時之半選定晶胞干擾。 |
| 顯示於類別: | [電機工程系(含碩士班)] 學生專題
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