摘要: | 本專題利用溶膠-凝膠法在矽基板上製備氧化鋅掺雜鎂的透明半導體薄膜。研究分析探討不同的摻雜比例對氧化鋅薄膜結構、光學及光電特性的影響。
氧化鋅摻鎂薄膜,藉由X光繞射分析晶體結構,在氧化鋅結構中摻雜鎂的主要目的是以價數相同,體積較小的鎂取代鋅,使晶格強度減弱,有c軸優先取向的特性。由掃描式電子顯微鏡分析,摻雜鎂氧化鋅薄膜隨著摻雜比例的提高晶粒逐漸減小。在光學性質方面,利用紫外光-可見光-近紅外光光譜儀量測薄膜的穿透率,製備的樣品在可見光範圍有80%以上的高穿透率。
對n型矽基板上生長掺雜鎂之氧化鋅薄膜量測光電流及暗電流,並計算出光/暗電流變化百分比,其顯示在偏壓電壓為5 V時摻雜鎂之氧化鋅薄膜電流變化百分比最大為34%,以薄膜的電流變化百分比比較,實驗中製作奈米薄膜具有紫外光感測器應用潛力。 |