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| 題名: | 非晶矽薄膜沉積 |
| 作者: | 蕭健宏;許孝銘;游朝清;翁彰隆 |
| 貢獻者: | 修平技術學院電子工程系 |
| 關鍵詞: | 非晶矽薄膜沉積 |
| 日期: | 2008/12/24
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| 上傳時間: | 2009-03-16T06:48:29Z
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| 出版者: | 修平技術學院 |
| 摘要: | 本研究目的是利用射頻磁控濺鍍機，於不同溫度下，在矽基板及玻璃基板上成長矽。並探討他們在不同溫度製程條件下，在光線中吸收係數的情形。
矽薄膜，利用射頻磁控濺鍍機成長出來的矽薄膜為非結晶相的。我們將用紫外線可見光(UV/VIS)光譜儀量測矽薄膜的吸收率，之後用公式做換算求得吸收係數，求得結果得知溫度越高它的吸收係數的值就越好。 |
| 顯示於類別: | [電子工程系] 學生專題
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